Nobelovy ceny za rok 2010

Nobelovu cenu za chemii pro rok 2010 získali Američan Richard Heck a Japonci Ej-iči Negiši a Akira Suzuki za vývoj metod zkoumání vazeb atomů uhlíku a vytváření složitých chemických sloučenin.

Švédská Královská akademie věd ocenila práci trojice vědců v oblasti tvorby organických sloučenin na bázi uhlíku. Podle výboru, který cenu uděluje, jejich metoda "nesmírně rozšířila možnosti chemiků vytvářet sofistikované chemikálie" a má využití v medicíně, elektronice i zemědělství. Takto vytvořené chemikálie obsahují i látku discodermolid, která se v malém množství vyskytuje v přírodě u některých druhů mořských hub a která podle vědců může mít uplatnění v rozvoji léčby rakoviny. Heck, Negiši a Suzuki ve své průkopnické metodě k syntéze využívají palladium jako katalyzátor křížové vazby. Atomy palladia spouštějí reakci, která umožňuje vytvářet vazby na bázi uhlíku.

"Aby bylo možné tyto komplexní chemikálie vytvořit, chemici musejí být schopni spojovat atomy uhlíku dohromady. Uhlík je ale stabilní a jeho atomy nereagují snadno s jinými," uvedl výbor Královské akademie věd ve svém zdůvodnění. "Křížová vazba s palladiem jako katalyzátorem vyřešila tento problém a poskytla chemikům přesnější a účinnější nástroj k práci," konstatoval výbor.

Zajímavé je, že i letošní Nobelova cena za fyziku souvisí s uhlíkem. Letošní laureáti André Geim a Konstantin Novoselov - vědci univerzity v Manchesteru - dostali ocenění za výzkum grafenu. Tento supertenký uhlíkový materiál lze využít při výrobě počítačových prvků nebo v oblasti nanotechnologií. Podle Švédské královské akademie věd se oběma vědcům podařilo dokázat, že extrémně tenká vrstva uhlíku o tloušťce pouhého jednoho atomu má výjimečné vlastnosti z říše kvantové fyziky.

Grafen v současnosti představuje nejtenčí a zároveň nejpevnější materiál na světě. Je výborným vodičem elektrického proudu, nejlepším známým vodičem tepla a je propustný pro světlo. Do budoucna by mohl být využit například pro výrobu některých elektronických součástek, zejména velmi rychlých tranzistorů. Mohl by také posloužit při studiu podmínek panujících v blízkosti černých děr.